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场效应管和IGBT的区别IGBT全面型号大全

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  IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。 专业名字为绝缘栅双极型功率管 。通俗点说GBT管是有MOS管(场效应管)和双极型达林顿管结合而成。将场效应管做为推动管,大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管,功率可以做的很大。 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(juncTIon FETJFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

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本站文章于2019-11-21 08:32,互联网采集,如有侵权请发邮件联系我们,我们在第一时间删除。 转载请注明:场效应管和IGBT的区别IGBT全面型号大全 继电器